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2SC1969 con RD16HHF1

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Figura 1
Figura 2
Figura 3
Figura 4

 

     Credete a quel che Vi dico:  Ho speso, in più riprese, circa  1000 euro per acquistare finali RF volti ad aumentare la potenza degli Alan 48 old, apparati che la maggior parte dei camionisti preferisce. Ho acquistato 2SC1969, 2SC1945, 2SC2312 ed ho ricevuto solo cloni cinesi, questo non solo dall’Estero, ma anche da venditori Italiani, i quali, ignari della qualità dei prodotti reperiti sul mercato e convinti di essere i soli ad aver trovato la convenienza, hanno  come me pensato di fare: scorte a non finire!!!!  Solo in un secondo momento  hanno capito, come me, che l’affare non era altro che una bidonata. I transistor con brand Mitsubishi acquistati e  montati sugli apparati non davano più di mezzo watt in antenna. Ho anche rivolto la mia attenzione ai prodotti di ELOFLOW, un’azienda della quale si dice che un dipendente  Mitsubishi, acquistati i macchinari dismessi ha continuato a produrre tali componenti, alcuni dei quali hanno stampigliato sul contenitore HFR 20W.  Questi transistor, funzionano per circa 10 minuti, dando in antenna la potenza massima di 10 Watt, ma poco dopo, mentre ci si accinge ad effettuare la taratura dello stadio finale, scoppiano. Ho provato anche diversi tipi di MOSFET, come IRF520, BUZ71 e altri, ma anche se questi componenti funzionano, non danno in antenna più di 7 Watt con una potenza di picco di 12/13 Watt, di conseguenza ho scartato anche questa possibilità.  Tutto questo è difficile da spiegare a coloro che da decenni si rivolgono a te, coloro che sono convinti di “non avere altro tecnico all’infuori di te”. Pertanto volendo evitare di deludere tali “clienti affezionati”  ho dedicato diverse ore alla ricerca di una soluzione. Così, per qualche tempo mi sono alzato alle quattro del mattino e sino all’apertura del negozio non facevo altro che montare e smontare transistor con relativi componenti di accordatura.  Dopo molte prove ho stabilito che il componente più idoneo per sostituire il  2SC1969 è il MOSFET RD16HHF1, prodotto da Mitsubishi e utilizzato dalla CTE nei nuovi ALAN 48 BSX.  In precedenza avevo scartato l’idea di usare questo componente,  perché mi sono scoraggiato nell’osservare il circuito test nel datasheet  della  Mitsubishi. (La Fig. 1,  mostra lo schema del datasheet contornato da decine di componenti passivi). Durante la fase di prove invece, ho constatato che il MOSFET in questione è facile da montare e per la polarizzazione non occorrono altro che due resistenze e un diodo 1N4148. La Fig. 2 mostra la parte di schema elettrico sulla quale occorre intervenire. Nella Fig. 3 invece ho cercato di evidenziare i componenti da sostituire nella parte di circuito che compongono lo stadio finale dell’Alan 48. Come prima cosa eliminiamo l’impedenza RFC 303, poi prendiamo una resistenza da 330 ohm e attorcigliamo un terminale con il terminale che corrisponde all’ANODO di un diodo 1N4148, una goccia di stagno per saldare questi terminali, poi eliminiamo anche il condensatore C337 e al suo posto mettiamo la resistenza con il diodo facendo corrispondere il terminale D con il rispettivo foro D, e il terminale R con il foro R. (Fig. 3) Eliminiamo R316 e sostituiamola con una da 220 Kohm. Eliminiamo R323 e sostituiamola con una da 1 ohm. A questo punto tagliamo il terminale centrale del MOSFET (source) che elettricamente è collegato alla sua flangia forata e lo montiamo al posto del transistor originale 2SC2078,  nel fare questo, eliminiamo la mica isolante, facendo aderire  il corpo direttamente al dissipatore, poi, poniamo il terminale Gate al posto della base e il terminale Drain al posto del collettore. Non resta quindi che dare tensione e con un cacciavite adeguato rifare la taratura di L304, L305 e L306. Ho constatato che in alcuni apparati togliendo il nucleo di L306 si ha un lieve incremento della portante, anche aggiungendo un condensatore da 100 pF in parallelo a quello da 82 pF che si trova nella parte sottostante del circuito stampato (vedi riquadro in basso a destra Fig. 3) si aumenta di poco la portante. I risultati ottenuti sono: Watt in portante fissa 10/12, modulati 30/35 Pep. Prova effettuata con una alimentazione di 13,8 V.

     Spero con questo articolo di fare cosa gradita a coloro che hanno l’hobby del “ fai da te” e anche a chi opera in questo campo come tecnico, il quale non riuscendo a reperire transistor originali,  sente  di avere le mani legate di fronte alle richieste dei propri clienti.

Buon lavoro a tutti.

 

Francesco Michienzi  - IZ8QVW


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Ultimo aggiornamento: 26-09-19.